美國加大對華為等中國公司的封鎖，中美兩國貿(mào)易爭端進入了新的階段。值得注意的是，三十年前美國日本也發(fā)生過類似的貿(mào)易爭端。日美電子貿(mào)易戰(zhàn)從1984年持續(xù)到1991年，措施上從限制專利輸出到開征反傾銷關(guān)稅再到“最低價格協(xié)定”以及“最低市場份額協(xié)定”。貿(mào)易戰(zhàn)后日本電子行業(yè)出現(xiàn)兩層分化，首先是低端組裝業(yè)務(wù)開始海外遷移，只有集成電路和元器件在全球競爭力持續(xù)強勢，另一層分化是集成電路行業(yè)內(nèi)只有設(shè)備與材料一騎絕塵，DRAM等產(chǎn)品從全球霸主地位不斷衰落。

本期的智能內(nèi)參，我們推薦民生證券公司的研究報告《日美電子貿(mào)易摩擦啟示錄》，從電子及制造業(yè)發(fā)展的大歷史周期角度，分析了日本電子產(chǎn)業(yè)的興衰，為現(xiàn)在中美貿(mào)易爭端出謀劃策。如果想收藏本文的報告，可以在智東西（公眾號：zhidxcom）回復關(guān)鍵詞“nc460”獲取。

一、日本電子行業(yè)現(xiàn)狀

當前日本廠商仍然持著電子制造業(yè)的上游關(guān)鍵環(huán)節(jié)，尤其是在核心元器件以及半導體設(shè)備與材料領(lǐng)域，日本廠商在全球依然有著最強競爭力，例如元器件領(lǐng)域有村田以及TDK，半導體設(shè)備領(lǐng)域有東京電子以及DNS，材料領(lǐng)域有SUMCO，這些日本公司在各自領(lǐng)域幾乎壟斷了全球市場。

1、日本電子制造業(yè)占據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈上游

核心元器件以及半導體設(shè)備與材料領(lǐng)域，日本廠商在全球依然有著最強競爭力。近年來盡管日本電子終端產(chǎn)品在全球市占率較低，但是日本廠商仍然把持著電子制造業(yè)的上游關(guān)鍵環(huán)節(jié)，尤其是在核心元器件以及半導體設(shè)備與材料領(lǐng)域，日本廠商在全球依然有著很強競爭力，例如元器件領(lǐng)域有村田以及TDK，半導體設(shè)備領(lǐng)域有東京電子以及DNS，材料領(lǐng)域有SUMCO，這些日本公司在各自領(lǐng)域幾乎占據(jù)了全球絕大部分的份額。

▲占據(jù)上游的日本電子制造業(yè)

日本半導體產(chǎn)業(yè)整體呈衰退趨勢。2018年，全球半導體銷售額達到4779.4億美元，年增長率為15.9%，創(chuàng)歷史新高，而日本地區(qū)半導體銷售額為335億美元，在世界市場中的份額不足8%，落后于韓國、中國等國家和地區(qū)。在2018年發(fā)布的半導體企業(yè)排名中，日本企業(yè)僅有東芝在前十大供應(yīng)商中占據(jù)一個席位，而在1990年的前十大半導體廠商中，有六家是日本企業(yè)，日本企業(yè)萎縮明顯。

▲IC銷售市場份額（按公司總部所在地劃分）

日本在半導體設(shè)備和材料領(lǐng)域表現(xiàn)強勁。日本在芯片產(chǎn)品領(lǐng)域已經(jīng)衰落，但是在芯片產(chǎn)業(yè)鏈的上游設(shè)備領(lǐng)域仍處在不可忽視的地位。在設(shè)備領(lǐng)域，近年來日本銷售額占全球市場銷售額的比重能夠維持在10%左右。其中，TEL、日立高新、DNS等企業(yè)占有舉足輕重的地位。

▲2013年-2018年日本半導體設(shè)備銷售額

除了在設(shè)備領(lǐng)域仍存在較大影響力之外，日本企業(yè)在半導體材料持續(xù)領(lǐng)先。日本半導體材料產(chǎn)業(yè)在貿(mào)易摩擦后繼續(xù)保持強勁增長勢頭，市場占有率在隨后的五年中繼續(xù)擴大。而日本半導體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今，在世界半導體材料領(lǐng)域保持著絕對優(yōu)勢，Si晶圓、光罩等重要的半導體材料全球市場中占據(jù)了主要份額，Sumco、信越等企業(yè)占據(jù)絕對的霸主地位。

▲2018年日本半導體材料銷售情況

日本電子元器件總產(chǎn)值在整個日本電子行業(yè)中占比上升。日本電子元器件在日本電子工業(yè)中占有重要地位，2019年電子元器件產(chǎn)值達到8.27萬億日元，約占日本電子行業(yè)總產(chǎn)值的43.78%，且這一比例在過去十年時間里呈不斷上升趨勢的。

▲日本電子元器件總產(chǎn)值在日本電子行業(yè)中占比不斷提高

日本的電子元器件主要由集成電路、液晶裝置、被動元件、分立半導體和連接部件組成，其中2019年集成電路、液晶裝置、被動元件在日本電子元器件產(chǎn)值中占比分別為36.25%、13.92%和10.21%，分立半導體和連接部件也達到了9.95%、13.24%。

▲日本主要電子元器件產(chǎn)值

在被動元器件市場上，日本一家獨大。日本最大三家的被動元件制造商村田、TDK和太陽誘電2019年被動元件的銷售收入分別為67.4億美元、45.93億美元和18.04億美元，分別在全球被動元件市場中排第一、第二和第四，合計超過了130億美元，占據(jù)了一半以上的市場份額。

▲2019年全球主要被動元件制造商銷售收入

連接器市場競爭格局相對穩(wěn)定，日本三家公司進入全球前十。在連接器上，根據(jù)Bishop and Associates發(fā)布了一份新的全球100強電子連接器制造商榜單，日本共有三家公司進入了前10名，分別是矢崎、日本航空電子和日本壓著電子，分別排第七、第八和第九名。對比2004年的市場占有率，日本的這三家公司穩(wěn)定排在全球第六到第十名之間。

▲2019全球連接器制造商銷售額排名

半導體分立器件市場占有率不高，但相對穩(wěn)定。日本是全球半導體分立器件廠商主力國，主要有東芝、瑞薩、羅姆、富士電機等半導體廠商，日本廠商在半導體分立器件方面具有較強競爭力且廠家眾多，但很多廠商的核心業(yè)務(wù)并非半導體分立器件，使得日本半導體分立器件的市場占有率不高。日本半導體分立器件的代表性企業(yè)日本羅姆，2018年分立器件銷售收入為14.36億美元，2010年以來市場占有率徘徊在6%左右，相對穩(wěn)定。

▲2018全球主要半導體分立器件制造商營業(yè)收入

PCB產(chǎn)業(yè)，日本PCB產(chǎn)業(yè)景氣高點已過。1990年后隨著日本電子制造業(yè)的崛起，全球PCB產(chǎn)業(yè)開始向日本聚集，到了2000年日本PCB產(chǎn)值占全球比重達28%。但是2008年全球金融危機的沖擊，同時日元的升值以及中國臺灣、韓國、中國大陸地區(qū)的廠商的崛起，日本PCB行業(yè)加速海外轉(zhuǎn)移。

▲2000年世界各地區(qū)PCB占比

▲2018年世界各地區(qū)PCB產(chǎn)值占比

日本PCB產(chǎn)值中硬板占比最大， 各類PCB產(chǎn)品產(chǎn)值均在下滑。2019年日本PCB總產(chǎn)值為4438億日元，同比上年下降7%，其中硬板產(chǎn)值為2983.51億日元，占PCB總產(chǎn)值67%，同比下降6.50%。從2002年到2019年整體來看，日本PCB產(chǎn)值不斷下滑，年復合增長率為-3.33%，其中硬板復合增長率為-3.25%，軟板為-6.78%，載板為-1.07%。

▲2002-2019日本各類PCB產(chǎn)值和總產(chǎn)值增長率

日本7家企業(yè)進入2018年全球PCB廠商前30名。根據(jù)Prismark 2018年全球PCB廠商前30排名，日本的旗勝、藤倉、揖斐電、名幸、住友電工、中央銘板、新光電器排名全球第2、11、13、14、17、21、30名。

在軟板（FPC）方面，日本處于行業(yè)領(lǐng)先地位，3家企業(yè)進入全球前10。根據(jù)PCB信息網(wǎng)的統(tǒng)計，2018年全球FPC前10廠商中，日本的旗勝、住友電工、藤倉分別排在第2、第4和第5位。雖然軟板在日本2018年P(guān)CB產(chǎn)生中占比僅10.61%，占比不大，且整個日本軟板的產(chǎn)值也是逐年下降，但是日本的軟板仍然處于全球軟板的領(lǐng)先地位。

在硬板方面，日本名幸在2018年全球HDI前10大廠商中排第6。作為日本最大的硬板廠商，名幸2018年P(guān)CB銷售收入為10.74億美元，同比增長13.40%，在日本前五大PBC廠商中是增速最快的。公司增長主要來源于汽車板市場需求的穩(wěn)定增長以及中國和韓國手機客戶需求的增長。

面板產(chǎn)業(yè)開始向中國轉(zhuǎn)移，日本廠商逐漸衰落。1988年，夏普推出了世界第一臺14英寸液晶顯示器，這讓日本幾乎壟斷了世界液晶面板產(chǎn)業(yè)，在1990年-1994年，日本在全球液晶面板產(chǎn)業(yè)的份額占比高達90%-94%以上。隨著韓國實行集中國家力量進行超強投入進行創(chuàng)新的策略，韓國液晶面板逐漸實現(xiàn)了對日本的趕超，韓國三星和LG在顯示面板領(lǐng)域全面超過日本。

▲全球主要地區(qū)面板市場占有率變遷

JDI成為日本面板行業(yè)唯一廠商。隨著日本面板行業(yè)的衰落，曾經(jīng)的日本面板各大廠商三洋電機、愛普森、NEC、東芝、索尼、日立、三棱也開始逐漸退出了面板市場，曾經(jīng)的行業(yè)巨頭夏普也被鴻海收購，日本目前能實現(xiàn)量產(chǎn)的面板廠商只剩下JDI。

▲日本9大面板廠商逐漸退出市場

JDI專注于中小尺寸面板市場。2017年全球顯示面板出貨面積約2.01億平米，其中大尺寸面板出貨面積合計約1.81億平米，占比達到約90%，中小尺寸面板出貨面積合計0.2億平米。在大尺寸面板市場中，主要還是由韓國、中國大陸和中國臺灣的企業(yè)所瓜分，在中小尺寸面板市場中，韓國三星電子和LGD占據(jù)行業(yè)第1、第3，日本JDI排名第2。

▲2018年全球大尺寸面板市場格局

▲2018年全球中小尺寸面板市場格局

OLED時代，JDI收入開始下滑。隨著三星提前推出OLED面板，在各方面性能上領(lǐng)先于JDI的液晶面板，全球高端手機開始選擇使用OLED屏幕，JDI因此受到巨大沖擊。JDI一半以上的收入來自蘋果手機，隨著中國LCD面板廠商的崛起，蘋果手機銷量的下跌，且2017年iPhoneX也開始使用OLED屏幕，JDI的收入進一步下降。JDI長期以來的虧損和只注重營業(yè)利潤的企業(yè)文化導致了財務(wù)造假。2020年4月對歷年財務(wù)報告進行修正。

▲2013-2018年JDI盈利情況

2、日本電子行業(yè)分布

九州島被稱之為日本的“硅島”， 是日本集成電路工業(yè)的重要基地。因為九州島富含硅片洗凈工程所需超純水（九州島阿蘇外輪山周邊有豐富的泉水）、電力充足、航空運輸便利（九州島現(xiàn)有13個機場）、稅收政策對企業(yè)有利、生產(chǎn)成本較低等有利條件吸引了大批半導體企業(yè)。從上個世紀60年代起，九州逐漸成為半導體企業(yè)群聚的地區(qū)。東京電子、索尼、瑞薩科技、SUMCO等都在九州設(shè)有生產(chǎn)基地。九州島半導體企業(yè)眾多，且因為有知名大企業(yè)牽頭，所以是擁有世界級尖端半導體技術(shù)的地區(qū)。全球約有15%的半導體硅片在九州生產(chǎn)，九州島半導體年產(chǎn)值為日本全國年產(chǎn)值的三分之一左右。

由于IC一般只使用飛機運輸，以集成電路為主的九州島的半導體企業(yè)及工廠一般都是圍繞主要城市和機場輻射分布。公路干線沿線、九州沿海也是半導體企業(yè)/工廠設(shè)址地點。同時，九州島半導體產(chǎn)業(yè)鏈完整，從IC設(shè)計到封裝測試以及材料與設(shè)備的供應(yīng)，都有領(lǐng)域內(nèi)重要企業(yè)設(shè)廠。

3、日本電子制造業(yè)的轉(zhuǎn)移

日本電子制造業(yè)早期并不注重地理上的水平分工，并且早期日本電子行業(yè)大量出口彩電、收音機等偏終端產(chǎn)品，這樣的后果一方面是容易遭受反傾銷和反補貼的調(diào)查，另一方面也沒有利用發(fā)展中國家的低成本勞動力優(yōu)勢。1960年代為了躲避日美彩電戰(zhàn)，日本彩電企業(yè)曾開始在美國建廠，1980年代半導體戰(zhàn)之后日本加速對發(fā)展中國家的投資，方向主要是中國以及東南亞國家。

二、貿(mào)易摩擦前日本電子制造業(yè)

日美貿(mào)易摩擦整體延續(xù)近30年，其中電子行業(yè)戰(zhàn)爭始于1985年，終于1991年。廣義層面看日美貿(mào)易摩擦肇始于1960年代，激化于1970年代，高潮于1980年代，基本上跟日本制造業(yè)的重生、崛起、鼎盛三個階段相契合，從1960-1990這三十多年間，日美之間爆發(fā)了無數(shù)次貿(mào)易糾紛。

但是在行業(yè)層面看日美貿(mào)易摩擦在電子制造業(yè)領(lǐng)域開始于1985年之后，尤其是在半導體領(lǐng)域。早期，日本憑借低價芯片對美國產(chǎn)業(yè)造成重大沖擊，美國以反傾銷、反投資、反并購等手段進行貿(mào)易保護，最高時對相關(guān)產(chǎn)品加收100%關(guān)稅。因此本報告所指貿(mào)易摩擦是指電子行業(yè)層面的貿(mào)易摩擦，相關(guān)時間節(jié)點以1985年為界。

▲日美貿(mào)易摩擦時間軸

1、二戰(zhàn)后初期，快速復蘇

二戰(zhàn)后，美國對日本的經(jīng)濟政策可以大致劃為為三大階段：1945-1950年戰(zhàn)爭剛剛結(jié)束階段、1950-1985年的冷戰(zhàn)時期以及1985年開始冷戰(zhàn)緩和時期。

戰(zhàn)后初期（1945-1950）“1940體制”+“道奇計劃”，日本電子制造業(yè)快速復蘇。

戰(zhàn)后日本原材料奇缺、生產(chǎn)開工率低、物資供給匱乏并且通脹惡劣，為迅速度過經(jīng)濟混亂和生產(chǎn)衰退的難關(guān)，日本政府在1947年到1951年推行著名的傾斜生產(chǎn)方式，集中力量增加煤炭、鋼鐵等基礎(chǔ)工業(yè)的生產(chǎn)，從而使得日本經(jīng)濟能重新進入再生產(chǎn)的循環(huán)軌道，到1948年，工業(yè)生產(chǎn)指數(shù)已由戰(zhàn)敗初年的30%左右上升到60%以上，嚴重的經(jīng)濟混亂、生產(chǎn)滑坡局面已經(jīng)過去。我們把日本戰(zhàn)后所使用的傾斜生產(chǎn)以及特殊行業(yè)貸款政策等統(tǒng)稱為“1940體制”。但“1940體制”后遺癥也非常明顯，其中最引人注意的就是通脹，在推行傾斜生產(chǎn)期間，盡管政府通過多種手段控制物價上漲，通貨膨脹率仍居高不下，兩年間消費物價上漲7倍。

▲1949年之前日本通脹率一度達到80%

美國管制之下的駐日盟軍總司令部在二戰(zhàn)后占領(lǐng)了日本，美軍對日本的扶持態(tài)度比較曖昧。美方考慮扶持日本戰(zhàn)后復蘇，但又怕日本工業(yè)迅速發(fā)展實現(xiàn)軍事化。于是美方出臺了旨在援助日本的道奇計劃。道奇計劃是當時占領(lǐng)日本軍隊的統(tǒng)治者為維持日本經(jīng)濟的穩(wěn)定，平衡其財政預(yù)算，抑制通貨膨脹而制定。計劃最開始實行時日本經(jīng)濟遭遇了嚴重的衰退，但日本貨幣和物價也因該計劃迅速趨于穩(wěn)定，通貨膨脹也得到了抑制，道奇計劃的實施為之后的信貸和其他產(chǎn)業(yè)政策的實行提供了穩(wěn)定的宏觀經(jīng)濟環(huán)境，有助于日本產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)實現(xiàn)合理化、現(xiàn)代化。

▲1940體制與道奇計劃

盡管當時美國的援助計劃沒有特別針對電子制造業(yè)，但是占領(lǐng)軍當局要求日本政府確保通信和交通事業(yè)的發(fā)展，并大力推動了電報電話和廣播事業(yè)的復興。當時駐日同盟總部指定要求日本生產(chǎn)收音機，并且重建NHK成為特殊法人，同時，日本民間廣播事業(yè)也開始發(fā)展起來。得益于占領(lǐng)軍的這一系列政策，日本電子產(chǎn)業(yè)開始快速復蘇。

2、1950-1985，日本電子產(chǎn)業(yè)騰飛的30年

經(jīng)過戰(zhàn)后初期的復蘇，日本電子制造業(yè)迎來了真正騰飛的30年。30多年的時間，其產(chǎn)值從1955年的0.02萬億日元增長到1985年的17.7萬億日元，同期出口產(chǎn)值從近乎為0增長到9.9萬億日元，貿(mào)易收支方面，1955年為貿(mào)易逆差發(fā)展到1985年順差8.92萬億日元，同期日本整體貿(mào)易順差10.87萬億，電子制造業(yè)貢獻了其中的82%，足以證明到1985年電子制造業(yè)已經(jīng)成為日本的支柱產(chǎn)業(yè)。

▲日本電子產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值以及進出口金額

▲日本全行業(yè)以及電子行業(yè)貿(mào)易收支

日本電子制造業(yè)取得的成就是輝煌的，但輝煌的原因在不同時間段卻有很大的不同，以1970為界可以分為上半場和下半場。

上半場：1950-1970

冷戰(zhàn)背景下美國加大對日本援助。隨著冷戰(zhàn)的局面越來越緊張，特別是朝鮮戰(zhàn)爭（1950-1953）的爆發(fā)，美國對日本政策發(fā)生巨大的變化，開始轉(zhuǎn)變?yōu)橹г毡镜漠a(chǎn)業(yè)發(fā)展。另一方面，朝鮮戰(zhàn)爭期間，日本作為西方勢力最靠近戰(zhàn)場的大本營，順理成章成為了后勤基地，美國想要把日本發(fā)展成為物美價廉的工業(yè)產(chǎn)品供應(yīng)地，使之服務(wù)于自身的軍事目的。美國的態(tài)度轉(zhuǎn)變對日本經(jīng)濟的復蘇作用巨大，朝鮮戰(zhàn)爭期間，美國因為戰(zhàn)爭需要在日本進行大量的訂貨，極大地促進了日本經(jīng)濟的增長。

一方面是軍用訂單的刺激，另一方面在民用電子領(lǐng)域日本趁勢壯大。因為在二戰(zhàn)期間美國主要生產(chǎn)軍用訂單，所以靠進口才能滿足民用電子訂單的需求。1950年美國電子產(chǎn)業(yè)中民用電子產(chǎn)值為15億美元，軍用電子產(chǎn)值為6.5億美元，然而1957年卻逆轉(zhuǎn)為17和41億美元，美國產(chǎn)業(yè)政策的此次改變給日本民用電子產(chǎn)品進入美國市場創(chuàng)造了條件。

▲美國軍用電子和民用電子產(chǎn)值

▲日本收音機出口數(shù)量（千臺）和金額（百萬元）

下半場：1970-1985

15年的時間，出口增加11倍。日本電子產(chǎn)業(yè)出口收支從1970年開始飆升，一直到1985年達到頂峰，1970-1985的15年間，電子產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值增加了5倍，內(nèi)需增加了3倍，出口則增加了額11倍之多，可以說日本電子制造業(yè)在1970年后完全靠出口實現(xiàn)了騰飛。

1970年-1985年電子行業(yè)出口大幅增長的同時日元的匯率在不斷升值，日元兌美元的匯率從期初的360升值到期末的234，說明日本電子行業(yè)的出口并不是因為日元匯率貶值所帶動，相反，日本電子制造業(yè)公司需要不斷降低成本以抵消日元升值帶來的下游國外客戶采購成本上升。

▲日本電子產(chǎn)業(yè)貿(mào)易收支與日元匯率

產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變，大力扶持半導體。上世紀七十年代至80年代中期，日本產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)巨變。原油進口量以及鋼鐵產(chǎn)量自1973年開始降低，而此時日本對硅的需求量逐漸加大。以鋼鐵代表的“重、大”型產(chǎn)業(yè)日漸衰落，半導體等“輕、薄、小”型產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展。上世紀70年代初微處理器的出現(xiàn)，引發(fā)了微型計算機的熱潮，而半導體內(nèi)存是計算機的主要部件，于是半導體產(chǎn)業(yè)由此得以發(fā)展。1970年到1985年之間日本內(nèi)存行業(yè)得到了迅猛發(fā)展，在一段時期內(nèi)全球市占率高達80%?；卮鹑毡緝?nèi)存行業(yè)為什么能獲得如此成就一定程度上可以解釋日本電子制造業(yè)能夠騰飛的原因。

▲全球芯片區(qū)域消耗量變遷（1980-1988）（$ millions）

▲日本硅、原油、粗鋼需求量

▲DRAM產(chǎn)品全球市占率

舉國體制加創(chuàng)新型模仿造就日本DRAM的輝煌。1970年初，盡管日本可以生產(chǎn)DRAM芯片，但沒有掌握關(guān)鍵的制程和設(shè)備。因此，1976年在大藏省等多個部門的協(xié)商下，日本開始實行“DRAM制法革新”國家項目。由政府出資320億，富士通、NEC等公司出資400億，總共籌資720億日元，目標是在短期內(nèi)提高DRAM的制作水準。國家性科研機構(gòu)——“VLSI技術(shù)研究所”因此設(shè)立，該所是由日本電子綜合研究所和計算機綜合研究所主導創(chuàng)辦的。VLSI技術(shù)研究所匯集了800多名技術(shù)精英以研制日本產(chǎn)高性能DRAM制程設(shè)備，想要短期內(nèi)實現(xiàn)64K DRAM和256K DRAM可實用性，并在10到20年之間實現(xiàn)1M DRAM的可實用性。

▲MITI（日本通產(chǎn)省）和NTT（日本電話電信）的VLSI項目對比

在產(chǎn)業(yè)化方面，日本政府為半導體企業(yè)，提供了高達16億美元的巨額資金，包括稅賦減免、低息貸款等資金扶持政策，幫助日本企業(yè)打造DRAM集成電路產(chǎn)業(yè)群。到1978年，日本富士通公司研制成功了64K DRAM大規(guī)模集成電路。

創(chuàng)新型模仿，日本DRAM成功的又一關(guān)鍵。英特爾當初憑借4KB DRAM搶占了超過80%的市場份額，日本公司紛紛效仿，導致英特爾的市占率急轉(zhuǎn)直下。后來英特爾研發(fā)了16KB DRAM（三電源供電）和64KB DRAM（三電源供電），然而由于跟風者不斷追進，英特爾很難持續(xù)壟斷市場。于是英特爾在1979年推出殺手锏產(chǎn)品：單電源供電的16KB DRAM，日本公司根本無從下手，所以該款DRAM產(chǎn)品在發(fā)售時獲得100%市占率，然而，競爭對手紛紛模仿英特爾開發(fā)單電源DRAM產(chǎn)品，最終英特爾的市占率跌到10%左右，最后英特爾決定退出DRAM行業(yè)。英特爾的退出造就了日本1985年取得全球80%的巔峰市占率。

▲英特爾DRAM產(chǎn)品市占率

3、對日本電子制造業(yè)取得成功的一點思考

縱觀日本電子制造業(yè)在1950-1985年這35年間取得的成就，我們認為有幾點值得當前中國電子制造業(yè)思考與學習。

起步低不代表長不大。日本電子制造業(yè)從1950年開始發(fā)展，在此之前從沒有哪一項電子技術(shù)是從日本起步，朝鮮戰(zhàn)爭爆發(fā)后日本的收音機出口開始迅猛增長，但是讓索尼引以為傲的晶體管收音機的核心晶體管技術(shù)也是索尼從美國購買，1959年德州儀器制作了世界上第一塊集成電路，在美國企業(yè)一直認為晶體管已經(jīng)成為過去，集成電路才是未來的背景下日本自主研發(fā)了第一臺晶體管計算機NEAC-2201并參加巴黎萬國博覽會，但與美國同行差距仍然甚大。

日本的電子制造業(yè)正是從收音機開始做起，最后在半導體技術(shù)方面躋身全球一流。我們一直對當前中國電子制造業(yè)所從事的低端生產(chǎn)存有偏見，認為中國電子制造業(yè)就是以富士康為代表的產(chǎn)品組裝，中國電子制造業(yè)的精密制造就是生產(chǎn)以線束連接器為代表的低端產(chǎn)品，但日本例子告訴我們起步低但依然可以通過后續(xù)追趕而在全球市場擁有一席之地，中國智能機行業(yè)近年來的發(fā)展也證實這一可能。

模仿可以短期內(nèi)獲得最大的進步。日本DRAM行業(yè)發(fā)展壯大的歷程告訴我們通過模仿龍頭產(chǎn)品，可以短期之內(nèi)獲得與龍頭同臺競技的資格。此外，韓國DRAM也是靠模仿日本而壯大，相信中國電子制造業(yè)在創(chuàng)新型模仿的戰(zhàn)略下并結(jié)合自身實際，可以迅速趕上龍頭國家。

舉國體制是發(fā)展高精尖制造業(yè)的有效方式。1976年日本的“DRAM”制法革新項目下的“VLSI技術(shù)研究所”共耗資720億日元，其中政府出資320億，企業(yè)界籌集400億日元，最后日本得以先于美國研發(fā)64k集成電路、256k動態(tài)儲存器，完成對美國技術(shù)的趕超，奠定了日本在DRAM市場的霸主地位。包括韓國在內(nèi)也采用舉國體制發(fā)展半導體，1983年韓國公布“半導體工業(yè)振興計劃”，韓國政府共投入了3.46億美元的貸款，并激發(fā)了20億美元的私人投資，促進了韓國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。當前中國也開啟了扶持半導體大基金計劃，已經(jīng)開啟了第二期的投資，日本和韓國的例子告訴我們對于落后者而言，舉國體制是發(fā)展高精尖制造業(yè)的有效方式，中國的半導體大基金計劃對半導體的發(fā)展有實實在在的推動作用。

▲日本半導體的舉國體制之路

三、貿(mào)易摩擦后的日本電子制造業(yè)：開始分化

美國對日貿(mào)易摩擦的時間跨度大約為1985～1991年，從1975年～1991年，美國共向日本發(fā)起了15次301調(diào)查。在電子制造業(yè)領(lǐng)域美國對日本的貿(mào)易摩擦一直持續(xù)不斷，前有收音機進口數(shù)量限制后有彩電反傾銷政策，但是美國對日本電子制造業(yè)最擔憂的也是貿(mào)易摩擦中最激烈的領(lǐng)域發(fā)生在半導體行業(yè)。

1、美國對日貿(mào)易摩擦在電子制造業(yè)領(lǐng)域具體政策

起因：日本在全球半導體市場份額持續(xù)上升。在全球半導體市場上，美國半導體收入在全球半導體總收入中所占的比重由1978年的55%下降到1984年的30%，而同期日本由28%上升到46%，1985年后，日本的企業(yè)首次成為世界最大的半導體銷售商，到1986年，世界半導體銷量排行榜前三位均為日本企業(yè)。此外，上世紀80年代，日本高科技出口已經(jīng)超過進口，日本電子計算機在美國市場的占有率由1980年的1%增加到1984年的7.2%，電子部件由3.2%上升到7.2%。與此同時在機器人、集成電路、光纖通訊、激光、陶瓷材料等技術(shù)方面處于世界領(lǐng)先水平。

▲全球半導體產(chǎn)值分布（1978-1991）

美國對日半導體貿(mào)易摩擦措施：知識產(chǎn)權(quán)委員會+最低價格協(xié)定+超級 301 條款。1984年成立知識產(chǎn)權(quán)委員會，限制本國技術(shù)外流。1983年美國商務(wù)部認定，“對美國科技的挑戰(zhàn)主要來自日本，目前雖僅限少數(shù)的高技術(shù)領(lǐng)域，但預(yù)計將來這種挑戰(zhàn)將涉及更大的范圍”，以后，美國就開始在高技術(shù)方面對日本采取防范措施，并加大對知識產(chǎn)權(quán)的保護力度，1984年成立知識產(chǎn)權(quán)委員會，限制本國技術(shù)外流。

1986年初，日美兩國簽訂了為期5年的《日美半導體保證協(xié)定》。在美國政府強力施壓之下，1986年初日美兩國簽訂了為期5年的《日美半導體保證協(xié)定》，該協(xié)議的主要內(nèi)容為：美國暫停對日本DRAM傾銷訴訟，但作為交換條件，要求日本政府促進日本企業(yè)購買美國生產(chǎn)的半導體，加強政府對價格的監(jiān)督。

《協(xié)定》的具體內(nèi)容包括：1）在市場準入方面：日本擴大外國半導體加入日本市場的機會，要求在日本市場必須有20%的美國半導體產(chǎn)品占有率；2）在傾銷方面，美國暫停對DRAM的反傾銷調(diào)查，并根據(jù)日本生產(chǎn)商提供的成本資料確立了外國市場價格。當銷售價低于外國市場價水平時，就可以斷定該生產(chǎn)商正在以低于平均成本的價格進行傾銷(在美國的反傾銷法中，允許加上8%的邊際利潤)。

加征關(guān)稅以及“超級301”條款。1987年3月，美國政府以日本未能遵守協(xié)議為由，就微機等日本有關(guān)產(chǎn)品采取了征收100%進口關(guān)稅的報復性措施。1988年美國通過“綜合貿(mào)易與競爭法”，祭出“超級301”條款，使日本所有出口商品都處于美國貿(mào)易制裁風險之中。1989年美國認定日本在大型計算機、衛(wèi)星和林業(yè)產(chǎn)品方面封閉市場，動用“超級301”條款進行調(diào)查。

新半導體協(xié)議。之后，日美兩國政府于1991年6月簽定了五年期的新半導體協(xié)議，其主要內(nèi)容為：擴大市場準入條款，削減并修改了反傾銷條款。

▲日美貿(mào)易摩擦之半導體戰(zhàn)爭

廣場協(xié)定：日本DRAM成本優(yōu)勢不再的直接原因。盡管美國迫使日本簽訂廣場協(xié)定不是只針對半導體產(chǎn)業(yè)，但是不得不提廣場協(xié)定對日本半導體的出口影響是巨大的。1985年9月，日元匯率在1美元兌250日元上下波動，在“廣場協(xié)議”生效后不到3個月的時間里，快速升值到1美元兌200日元附近，升幅20%。1986年底，1美元兌152日元，1987年最高達到1美元兌120日元。1985年后日本電子制造業(yè)的貿(mào)易順差開始掉頭向下，DRAM產(chǎn)品的市場占有率也開始急劇下降，時間點與廣場協(xié)議簽訂時間高度相關(guān)。

▲日本DRAM的全球市占率與日元匯率

2、貿(mào)易摩擦后的日本電子制造業(yè)的兩層分化

第一層分化：終端產(chǎn)品萎縮，零部件與設(shè)備占比提升。1985年后集成電路、零部件出口持續(xù)增長，視頻、音頻、計算機持續(xù)萎縮。出口是衡量一個國家某種產(chǎn)品在全球競爭力最有效的方式之一。我們對日本電子行業(yè)每種細分品類在1985年之后的出口額進行了詳細統(tǒng)計，以此來觀察在1985年貿(mào)易摩擦之后日本電子行業(yè)哪些產(chǎn)品衰落了，哪些產(chǎn)品競爭力提升了。從下圖中可以看出在1985年之后出口額能持續(xù)增長的只有集成電路產(chǎn)品，零部件產(chǎn)品在1985年后2000年之前仍然保持高速增長，視頻產(chǎn)品、音響設(shè)備、計算機及相關(guān)設(shè)備等產(chǎn)品在1985年之后出口額持續(xù)萎縮。

▲日本電子制造業(yè)分產(chǎn)品出口額

零部件與設(shè)備成為出口創(chuàng)匯主力。1985年之后日本電子制造業(yè)中零部件與設(shè)備的產(chǎn)值占比持續(xù)提升，從1985年的30%提升到2013年的60%，出口創(chuàng)收占比更是從不到30%提升到接近80%，同時占電子行業(yè)進口額的比重持續(xù)下降到40%，說明日本本土零部件與設(shè)備廠商的競爭力不斷提升，不光實現(xiàn)了實現(xiàn)進口替代，更是成為了出口創(chuàng)匯的主力產(chǎn)業(yè)。

▲日本電子產(chǎn)業(yè)中零部件、設(shè)備占比

▲彩色電視機、VTR、集成電路的出口（萬億日元）

▲液晶面板市場格局變化

▲液晶面板份額變化

第二層分化：半導體領(lǐng)域 DRAM 開始衰敗，設(shè)備與材料興起。除了終端電子產(chǎn)品之外，日本半導體領(lǐng)域也同樣出現(xiàn)分化趨勢。日本DRAM行業(yè)在1985年之后在全球市場份額持續(xù)下滑，但是日本半導體行業(yè)中核心設(shè)備在全球的份額持續(xù)提升，80年代是日本半導體設(shè)備及材料崛起的黃金十年。在1980年全球前十大半導體設(shè)備廠商中，美國占有9席，日本僅僅占1席；而到1990年全球前十大廠商中，日本占有5席，美國占有5席。

根據(jù)SEMI的預(yù)測，在半導體材料領(lǐng)域，日本企業(yè)全球市場占有率約為52%，其中歐洲與北美占比都為15%左右。在全球該領(lǐng)域中日本行業(yè)占據(jù)了絕對優(yōu)勢，此時期日本半導體材料在光刻膠、模壓樹脂、硅晶圓、鍵合引線及引線框架等重要材料方面占了非常高的份額，日本半導體材料企業(yè)在全球行業(yè)中地位舉足輕重。像日立化學、京瓷化學、信越、三菱佳友株式會社SUMCO、佳友電木等日本企業(yè)幾乎壟斷了全球半導體材料。靶材領(lǐng)域，市場占有率超90%的全球6大廠商中前兩大就是日本的廠商Shin-Etsu和SUMCO，兩家市場占有率合計超過50%。硅片領(lǐng)域被日本信越化學、三菱住友、中國臺灣地區(qū)環(huán)球晶圓、德國世創(chuàng)和韓國LG五大供應(yīng)商壟斷，全球硅片供應(yīng)占比超90%。其中日本的信越化學、三菱住友分別占比27%、26%。

▲日本集成電路行業(yè)貿(mào)易數(shù)據(jù)

日本集成電路行業(yè)整體貿(mào)易順差在1985年之后曾經(jīng)歷短暫快速下跌，主要是由于之前順差貢獻的主力DRAM出現(xiàn)較大滑坡所致，但是日本集成電路行業(yè)并未一蹶不振，從87年開始恢復增長一直持續(xù)到金融危機前的2007年，這其中設(shè)備和材料的貢獻功不可沒。

▲關(guān)鍵半導體日本企業(yè)市占率變化

3、貿(mào)易摩擦加速了日本電子制造業(yè)的第一層分化，但并不影響第二層分化

貿(mào)易摩擦的確加速了第一層分化。貿(mào)易摩擦后日本電子產(chǎn)業(yè)的演進規(guī)律是從終端產(chǎn)品向上游核心零部件以及設(shè)備的進化，其本質(zhì)上是從低端低毛利產(chǎn)品到高端高毛利進化的過程，日美貿(mào)易摩擦不是這一進化的根本原因，但具有加速作用。1985年之后日本電子制造業(yè)的貿(mào)易順差開始急速下降，日本彩電以及曾經(jīng)的貿(mào)易順差主力產(chǎn)品VTR從1985年開始下滑。日本電子制造業(yè)從彩電出口為主到液晶面板出口為主，從終端組裝產(chǎn)品出口為主到集成電路出口占比持續(xù)上升，貿(mào)易摩擦后日本電子產(chǎn)業(yè)的演進規(guī)律是從終端產(chǎn)品向上游核心零部件以及設(shè)備的進化，其本質(zhì)上是從低端低毛利產(chǎn)品到高端高毛利進化的過程。

日美貿(mào)易摩擦只是影響了日本部分終端產(chǎn)品的出口，相反，日美貿(mào)易摩擦卻是日本電子制造業(yè)升級轉(zhuǎn)型的催化劑。從一國產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律來看，日本電子制造業(yè)的這一升級并不是遭受了貿(mào)易摩擦的日本一國獨有的專利，從全球來看，雖然美國從來不是被貿(mào)易摩擦的國家，但是美國電子制造業(yè)的歷史其實就是一部低端產(chǎn)品生產(chǎn)不斷向日本以及亞洲四小龍再向東南亞國家遷移而美國本土制造業(yè)不斷升級的歷史。只是因為貿(mào)易摩擦的影響使得日本電子制造業(yè)在1985年就開始被迫需要升級。

第二層分化更深層次原因是其沒有跟上科技產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新潮流。日本DRAM行業(yè)的潰敗最根本原因在于錯過了個人PC的興起。DRAM是日本半導體行業(yè)最具代表性的產(chǎn)品，考察日本DRAM產(chǎn)品的興衰可以一窺日本半導體行業(yè)的整體興衰。日美半導體貿(mào)易摩擦在1991年以簽訂《新半導體保證協(xié)議》結(jié)束，新條款當中對日本DRAM的最低價格決定者已經(jīng)從美國變更為日本，由日本廠商參考全球DRAM平均價格自行決定最低售價，相比由美國決定最低售價已經(jīng)寬松很多，但此時日本DRAM的全球市占率還有接近70%，貿(mào)易摩擦可以解釋日本DRAM市占率從80%下降到70%，但是無法解釋為何后來日本DRAM在全球的市占率從70%下降到10%以及后續(xù)強強聯(lián)合的爾必達的倒閉。我們認為日本DRAM行業(yè)失敗的根本原因在于日本廠商錯過了個人PC的興起。

日本DRAM廠商錯失個人PC創(chuàng)新潮流。20世紀90年代，電腦界開啟了換代潮流，從大型機向個人PC轉(zhuǎn)變，這一換代也導致了DRAM需求的變化，DRAM的主力需求從大型機生產(chǎn)商向PC生廠商切換。伴隨著這一轉(zhuǎn)變，日本DRAM市占率不斷萎縮，韓國開始后來居上，在1992年超過日本成為霸主。主要是大型機和PC需要的DRAM規(guī)格是完全不同的，PC需要的DRAM的制造要求就是低成本而不是25年的質(zhì)量保證，而韓國廠商生產(chǎn)的DRAM切合了低成本的要求最終打敗了日本。

但是，處于潮流轉(zhuǎn)變中的日本廠商肯定也感受到了PC的興起，但日本廠商的追求極致的文化告訴他們可以將大型機高質(zhì)保要求的理念用于生產(chǎn)PC用DRAM當中，于是日本廠商堅持生產(chǎn)25年質(zhì)保的PC用DRAM，而這種DRAM對于PC來說質(zhì)量明顯過剩。結(jié)果，大量生產(chǎn)低成本PC用DRAM的韓國廠商崛起，而日本失去了霸主地位。

▲大型機與個人PC產(chǎn)值與價格

日本半導體行業(yè)的文化過于追求極限。半導體制造需要精密的技術(shù)，而這些技術(shù)并不是一朝一夕能形成的。當時DRAM多用于大型電腦和電話交換機設(shè)備，其立下的技術(shù)標準是要求大型電腦用的DRAM有25年的質(zhì)保，日本半導體制造商的工匠精神生產(chǎn)出了這種可靠性要求極其嚴格的DRAM，由此日本DRAM開始橫掃全球。

此時，在技術(shù)上追求極限，生產(chǎn)高品質(zhì)的DRAM這一技術(shù)文化開始扎根于日本半導體企業(yè)的方方面面，而這種技術(shù)文化正是日本半導體行業(yè)競爭力的源泉。

強強聯(lián)合的爾必達也未能挽救日本的DRAM行業(yè)。1999年底，日立和NEC合資成立專門生產(chǎn)DRAM的公司爾必達，當時普遍認為爾必達是“強大技術(shù)研發(fā)實力的日立”和“強大生產(chǎn)技術(shù)的NEC”合二為一，由此將誕生世界上最強大的DRAM制造商。甚至后來還有三菱電機的加入，但是爾必達的命運卻以破產(chǎn)倒閉而告終。

爾必達最根本的問題在于公司固守生產(chǎn)大型機DRAM思維而缺乏用低成本來生產(chǎn)低價格PC DRAM的意識。金融危機之后DRAM曾經(jīng)跌破了1美元，當時爾必達高管在公開場合認為1美元的DRAM是無稽之談，爾必達還是堅持了早年日本DRAM行業(yè)走高端高價格的路線，必然遭到時代的淘汰。

日元升值并不是日本DRAM喪失地位的主因。部分研究認為主要是貿(mào)易摩擦導致的日元匯率升值使得日本成本優(yōu)勢降低，于是韓國的DRAM后來居上，我們認為不應(yīng)高估匯率變動對日本DRAM產(chǎn)品競爭力的影響，85年之后的韓國在DRAM市場可謂一騎絕塵，但97年韓元在短暫貶值后開啟了10年的升值周期，升值幅度接近一倍，但這期間韓國DRAM的全球市占率卻從35%上升到接近50%，而且在08年金融危機后韓元同樣持續(xù)升值，但DRAM市占率一路沖到最高接近70%。并且以美元計價的日本和韓國兩國制造業(yè)平均工資水平韓國曾一度與日本相當，但日本卻再也沒能重拾當年的雄風，在DRAM市場一路潰敗。

4、日美半導體貿(mào)易摩擦最大的贏家是韓國

1984年才成立知識產(chǎn)權(quán)委員會限制對日技術(shù)輸出的意義不大。1983年美國認定，對美國科技的挑戰(zhàn)主要來自日本。以后，美國就開始在高技術(shù)方面對日本采取防范措施，并加大對知識產(chǎn)權(quán)的保護力度于1984年成立知識產(chǎn)權(quán)委員會，限制本國技術(shù)外流。而此時的日本半導體技術(shù)雖然無法完全與美國抗衡，但關(guān)鍵技術(shù)都已經(jīng)獲得突破。1980年，日本宣布為期四年的“VLSI”項目順利完成，期間申請實用新型專利1210件，商業(yè)專利347件。更重要的是，到了64K DRAM大規(guī)模集成電路時代，富士通公司的研發(fā)進度開始與IBM、德州儀器等美國企業(yè)并駕齊驅(qū)，而到了256KDRAM時代，美國才剛研制出來，日本富士通和日立的產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)上市?？梢哉f此時的日本DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)不需要依靠美國技術(shù)。

對日本DRAM反傾銷犧牲了日本卻成全了韓國。到了1985年眼看限制對日技術(shù)輸出也無法阻止日本DRAM一統(tǒng)天下，美國開始對其進行更直接的反傾銷調(diào)查直至后續(xù)逼迫日本簽訂《日美半導體協(xié)議》。盡管我們認為日本DRAM衰敗更多原因來自于日本企業(yè)自身，不可否認美國的反傾銷調(diào)查加速了日本DRAM的下滑，但美國沒有想到的是韓國的DRAM廠商卻趁勢崛起，以三星為代表的廠商獲得了全球70%左右份額。

韓國DRAM廠商崛起而美國無力阻止。1985年之后韓國DRAM份額逐漸上升，此時DRAM的消費主力逐漸從大型機轉(zhuǎn)向個人PC，而個人PC的生產(chǎn)主力地區(qū)在中國臺灣，因此韓國DRAM主要銷往臺灣等地，美國無法阻止臺灣廠商進口韓國DRAM。當然美國進口的PC當中也有使用韓國DRAM的，但是這些進口PC中大部分都是美國自己的品牌，并且，在1980年之后由于受日本DRAM沖擊太大，美國本土企業(yè)已經(jīng)逐漸撤出DRAM生產(chǎn)，此時美國對韓國DRAM進行貿(mào)易摩擦已經(jīng)沒有意義。

▲韓國DRAM趁勢崛起

四、貿(mào)易摩擦后日本電子制造業(yè)的演進對中國的啟示

既沒有富士康，更沒有蘋果與高通。日本電子制造業(yè)在二戰(zhàn)后因為美國的扶持以及本國舉國體制發(fā)展半導體，曾經(jīng)取得了輝煌的成就，但近年來日本電子制造業(yè)卻持續(xù)萎靡，只在半導體材料和設(shè)備領(lǐng)域維持著領(lǐng)先的市場份額，日本電子制造業(yè)60多年的發(fā)展史既沒有產(chǎn)生富士康這種代工領(lǐng)導者，更沒有產(chǎn)生蘋果與高通這類核心設(shè)計品牌，偏居上游的日本電子制造業(yè)有逐漸空心化的趨勢。

日本電子制造業(yè)衰落主要原因沒有把握住科技產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的趨勢。貿(mào)易摩擦并不是日本電子制造業(yè)的這一空心化趨勢的核心因素，究其原因，主要是日本沒有把握住科技產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的潮流，在1985年之前大型機時代，日本電子制造業(yè)逐漸崛起，但是從2000年互聯(lián)網(wǎng)1.0時代開始日本逐漸與行業(yè)最新潮流脫鉤，以至于持續(xù)錯過了互聯(lián)網(wǎng)1.0以及2.0時代，當前處于互聯(lián)網(wǎng)2.0向AI、5G以及智能駕駛變革的關(guān)鍵時期，能否抓住這一潮流對日本以及當前的中國都至關(guān)重要。

▲當前處于向AI、5G以及智能汽車變革關(guān)鍵期

中國當前雖有貿(mào)易摩擦，但基本卡位了科技創(chuàng)新的每一波潮流。當前中國雖然處于貿(mào)易摩擦的陰霾籠罩下，但是我們緊扣科技產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的節(jié)奏，中國科技公司緊跟互聯(lián)網(wǎng)2.0以及移動互聯(lián)網(wǎng)的步伐，并且在新能源車領(lǐng)域整體水平不輸國外公司，在這過程中涌現(xiàn)出一大批領(lǐng)導者企業(yè)如5G領(lǐng)域的華為、AI領(lǐng)域的?？低暋⑸虦萍家约爸悄荞{駛領(lǐng)域的百度。我們持續(xù)看好中國科技企業(yè)今后的創(chuàng)新，在這之前日本公司的一些經(jīng)驗教訓值得我們學習。

1、加大核心零部件與設(shè)備的自制，降低對產(chǎn)品組裝的依賴

貿(mào)易摩擦不可否認對日本電子制造業(yè)的出口額造成了巨大影響，尤其是對于部分電子產(chǎn)品如電視機以及家庭錄像設(shè)備（VTR）而言幾乎是毀滅性的打擊，但日本電子制造業(yè)當中零部件的出口卻一直處于上升態(tài)勢，相對于終端產(chǎn)品需要大量的組裝工序，零部件尤其是核心零部件的出口占比提升可以有效拉動日本電子制造業(yè)的毛利率水平。類似案例在電視機行業(yè)尤為顯著，日本彩電行業(yè)在1985年之后出口銳減，但是日本液晶顯示屏的出口卻日益增加，一直到2003年日本液晶面板占據(jù)了全球市場的40%以上。

2008年之前我國半導體設(shè)備基本全靠進口，因此國家設(shè)立了02專項研發(fā)國產(chǎn)化設(shè)備。但是，由于設(shè)備制造對技術(shù)和資金需求要求比較高，只有北方華創(chuàng)、中微半導體、上海微電子等少數(shù)重點企業(yè)能夠承擔02專項研發(fā)工作，整個行業(yè)集中度相對較高。雖然在02專項的支持下，我國半導體設(shè)備實現(xiàn)了從無到有，但相比國內(nèi)龐大的市場規(guī)模而言，自給率不足15%。

即使在發(fā)展水平相對較高的IC封裝測試領(lǐng)域，我國與先進國際水平相比仍然存在較大差距。尤其是單晶爐、氧化爐、CVD設(shè)備、磁控濺射鍍膜設(shè)備、CMP設(shè)備、光刻機、涂布/顯影設(shè)備、ICP等離子體刻蝕系統(tǒng)、探針臺等設(shè)備市場幾乎被國外企業(yè)所占據(jù)。

2、注重水平分工，降低生產(chǎn)成本

水平分工分為兩個層次：一個是產(chǎn)業(yè)內(nèi)的從IDM模式到Fabless模式，另外是地域性的從國內(nèi)到國外的水平分工。

忽視產(chǎn)業(yè)內(nèi)的水平分工是日本半導體企業(yè)失敗的重要原因之一。貿(mào)易摩擦對日本電子制造業(yè)低端產(chǎn)品影響較大，而相對高端的日本半導體企業(yè)之所以衰退的第一個重要原因就是堅持垂直一體化的生產(chǎn)模式（IDM）。早期日本半導體企業(yè)都是和Fabless的模式背道而馳，與此同時日本半導體企業(yè)也在節(jié)節(jié)敗退，從2000年開始，日本半導體企業(yè)已經(jīng)無法繼續(xù)堅持IDM的模式開始向Fabless模式轉(zhuǎn)變。

收入增長時設(shè)備投入也增加。日本半導體企業(yè)在銷售額增加的時候，當年的設(shè)備投資額也會相應(yīng)增加，銷售額減少的時候設(shè)備投資額也會減少，結(jié)果是當銷售額減少的時候，由于前期投資持續(xù)增加，帶來設(shè)備的折舊也是在增加的，導致企業(yè)的盈利忽高忽低。而采用Fabless模式的高通公司營收與折舊增長基本同步，就連需要重資產(chǎn)投入的代工廠臺積電的營收與折舊增長相關(guān)性也遠高于日本的情況。

1985-1986年，由于剛受到貿(mào)易摩擦的影響，日本半導體企業(yè)的出口受到一定影響，銷售額開始下滑，但是折舊卻大幅度上升，折舊金額和銷售下降疊加，企業(yè)利潤壓力增大。

忽視地理上的水平分工是日本半導體企業(yè)失敗的另一重要原因。日本企業(yè)主張“設(shè)計部門和生產(chǎn)部門必須屬于同一個地區(qū)同一個企業(yè)”，這是因為設(shè)計部門和生產(chǎn)部門需要密切交流，共享信息，否則就無法做出優(yōu)秀的產(chǎn)品。這樣的企業(yè)文化導致日本很少考慮地理上的水平分工。

我們用一國對外FDI總額與本國當年GDP的比重來衡量地理上水平分工的程度。1980年代美國FDI與GDP的比重略超5%，到近兩年一路提升到30%左右，而日本的數(shù)據(jù)卻一直在5%以下徘徊。同為后起之秀的韓國的FDI比重在1992年首次超過日本之后一直到2014年才重新被日本超越，一方面說明過去20年日本對FDI確實過于保守，也說明了近年來日本對FDI開始更加重視。

地理上的水平分工有利于企業(yè)降低生產(chǎn)成本，1985年之后日元持續(xù)升值，日本DRAM廠商完全可以對外進行FDI，將生產(chǎn)基地轉(zhuǎn)移至國外，由于日元升值，廠商的海外購買力其實不斷增強，一方面利用國外廉價勞動力，一方面購買國外廉價零部件，但90年代前幾乎沒有日本半導體廠商這么做。

五、貿(mào)易摩擦背景下中國電子制造業(yè)的突圍

貿(mào)易摩擦后的日本電子制造業(yè)出現(xiàn)了兩層分化，日美貿(mào)易摩擦對日本電子制造業(yè)的第一層分化只是催化劑的作用，而對于第二層分化，其主要原因是日本自身沒有把握住科技創(chuàng)新的趨勢。對當前中美貿(mào)易摩擦背景下中國電子行業(yè)會如何發(fā)展這個問題，我們首先從中日電子行業(yè)比較開始入手。

1、美國對中國限制措施持續(xù)升級

本輪中美貿(mào)易摩擦開始于特朗普于2018年3月22日簽署備忘錄，宣布依據(jù)1974年貿(mào)易法第301條指示美國貿(mào)易代表對從中國進口的商品征收關(guān)稅，以“懲罰中國偷竊美國知識產(chǎn)權(quán)和商業(yè)秘密”，涉及商品總計達600億美元。中國商務(wù)部其后作出反制措施向128種美國進口商品征稅，其中包括美國向中國出口最多的貨品大豆。中美雙方曾一度于2018年5月達成暫停貿(mào)易摩擦的共識，并發(fā)表聯(lián)合聲明尋求和解。但美國貿(mào)易代表辦公室仍于6月16日公布對華加征關(guān)稅清單，中國國務(wù)院關(guān)稅稅則委員會其后作出對等報復，中國商務(wù)部亦重啟對美輸華多項產(chǎn)品的反傾銷調(diào)查。

2018年7月6日，特朗普政府正式對來自中國價值340億美元的商品加征25%關(guān)稅，標志著特朗普對華關(guān)稅政策正式實施。中國商務(wù)部其后在聲明中指出，“美國違反世貿(mào)規(guī)則，發(fā)動了迄今為止經(jīng)濟史上規(guī)模最大的貿(mào)易摩擦”。中國海關(guān)總署指，中方的報復措施已在美方加征關(guān)稅措施生效后即行實施。

▲近年來中美貿(mào)易摩擦時間軸

2、遭受貿(mào)易摩擦前中日兩國電子制造業(yè)實力對比

日本電子制造業(yè)對外貿(mào)易依存度遠高于中國。我們用電子制造業(yè)的出口金額與行業(yè)總產(chǎn)值的比來衡量對外貿(mào)易依存度。日本電子行業(yè)對外貿(mào)易依存度自1950年來一直呈上升態(tài)勢，而中國的情況恰恰相反。1985年貿(mào)易摩擦前日本電子制造業(yè)對外貿(mào)易依存度達到56%，而當前中國電子制造業(yè)對外貿(mào)易依存度僅為39.32%，貿(mào)易摩擦開始后日本為了減少對對外貿(mào)易的依賴加大內(nèi)需的開發(fā)，日本電子行業(yè)從1985年到2000年期間對外貿(mào)易依存度呈現(xiàn)持平狀態(tài)，到2000年該數(shù)字為55%，由于日本電子制造業(yè)本身發(fā)展迅速，并且在全球市場競爭力較強，我們認為這15年間日本電子制造業(yè)的對外貿(mào)易依存度能保持持平說明開發(fā)內(nèi)需確實效果顯著。

然而中國近年來的情況與日本當時的情況完全相反，08年金融危機之后中國電子制造業(yè)的出口比重一路下滑，造成中國這一情況的原因是出口總額多年來沒有上升。生產(chǎn)總額從08年來增幅接近300%，而出口總額增幅只有40%，說明中國內(nèi)需增長旺盛，內(nèi)需消化的產(chǎn)值遠高于出口。1985年之前日本之所以出現(xiàn)貿(mào)易依存度不斷提高主要是因為出口增幅遠高于總產(chǎn)值增幅，1985年的出口金額和總產(chǎn)值分別是1955年的1980和885倍。1985年之后日本出口基本維持零增長態(tài)勢，但是生產(chǎn)總值在2000年達到頂峰后一路下滑，導致貿(mào)易依存度被動性提高。

總結(jié)來看，中國當前電子制造業(yè)主要是內(nèi)需拉動，與日本高貿(mào)易依存度的需求結(jié)構(gòu)相比有著更強的抵御貿(mào)易摩擦的能力。

▲日本電子制造業(yè)對外貿(mào)易依存度

▲中國電子制造業(yè)對外貿(mào)易依存度

中國電子制造業(yè)在全球是“參與者”而不僅僅是“供給者”角色。我們以集成電路行業(yè)為例，中國2016年集成電路進口2270億美元，本土產(chǎn)值652億美元，出口614億美元，本土總產(chǎn)值與出口額相近，說明本土產(chǎn)品或服務(wù)基本都是用于出口，中國集成電路行業(yè)封裝環(huán)節(jié)產(chǎn)值占比達到36%，封裝占比高說明中國集成電路出口基本都是給國際廠商提供封裝服務(wù)，同時中國每年進口2270億美元，出口額與進口額相差較大與中國集成電路行業(yè)本身產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)有關(guān)，中國一方面提供封裝服務(wù)，同時從國際市場進口大量集成電路成品，說明中國集成電路在全球市場是“參與者”的角色。日本集成電路行業(yè)在1985年時總產(chǎn)值達到80億美元，而出口和進口分別只有不到30億美元和6億美元，極少的進口額和極高的總產(chǎn)值說明日本半導體產(chǎn)品基本不需要參與國際分工，其IDM的模式可以實現(xiàn)自給自足，同時日本當年的出口額是進口額的接近5倍，如此大的差額比中國當前的結(jié)構(gòu)更容易遭受貿(mào)易摩擦，而事實上日本集成電路行業(yè)當年就遭到了美國的多次反傾銷調(diào)查。

當前中國集成電路的產(chǎn)值與貿(mào)易結(jié)構(gòu)相比日本當年在抵御反傾銷調(diào)查上具有優(yōu)勢，同時因為我們是國際分工“參與者”，在“禁運”（美國對中國出口）方面對方又不得不考慮對其本土企業(yè)生產(chǎn)的影響。

▲中日兩國集成電路產(chǎn)值、出口、進口（億美元）

▲中國電子制造業(yè)出口細分

3、與日美電子貿(mào)易摩擦相比，美國對中國打擊力度加大

當前中美貿(mào)易摩擦針對電子制造業(yè)美國已出臺措施的打擊力度不亞于當年日美貿(mào)易摩擦。80年代日美貿(mào)易摩擦從1984年開始一直延續(xù)到1991年，期間出臺多項限制日本電子制造業(yè)的合約，1986年簽署的《日美半導體保證協(xié)定》決定對日本出口的半導體產(chǎn)品價格進行監(jiān)督，一般認為1986年《日美半導體保證協(xié)定》是左右日后日本半導體產(chǎn)業(yè)命運的重要因素。當時日本最擅長的存儲行業(yè)，因為對美協(xié)定的制約，被中國臺灣、韓國趕超上來，風光不再。

當前中美貿(mào)易摩擦美方已經(jīng)出臺的措施主要有禁運和加征關(guān)稅兩種。我們統(tǒng)計了美方三次加征關(guān)稅的清單當中涉及電子制造業(yè)的部分，從加征關(guān)稅的名單來看主要是對160億美元加征關(guān)稅的清單二涉及較多集成電路板塊出口，但對上市公司涉及金額較小，受影響程度較小。此外，中美貿(mào)易摩擦美方已出臺的措施最為嚴厲的當屬去年4月份的中興通訊和福建晉華禁運事件。

中興事件雖然和解，但卻為中國電子制造業(yè)敲響警鐘。中興通訊全線產(chǎn)品過多依賴于美國芯片和光模塊廠商，美國實施完全禁運的情況下，中興通訊及關(guān)聯(lián)公司不能直接或者間接購買美國零部件、商品、軟件和技術(shù)，從上述分析看，基站側(cè)FPGA、高速AD/DA、功率放大器、高速光模塊等都會受到美國制裁影響，而且沒有辦法從其他國家獲得替代性產(chǎn)品，這些核心元器件無法供應(yīng)的情況下，公司產(chǎn)品的交付能力會面臨比較大的挑戰(zhàn)。

華為、晉華事件凸顯核心設(shè)備和材料國產(chǎn)化迫在眉睫。2020年5月15日，美國商務(wù)部宣布一項新計劃，將通過修改出口管理條例（EAR），要求全世界所有公司，只要利用到美國的設(shè)備和技術(shù)幫華為生產(chǎn)產(chǎn)品，都必須經(jīng)過美國政府批準。此次升級繼續(xù)針對華為。自2019年5月17日美國BIS將華為及附屬公司超過70家納入實體名單以來，華為芯片核心產(chǎn)業(yè)鏈去A化進展已取得顯著成效，在IC設(shè)計端的移動處理器、存儲、模擬、傳感器、射頻前端、功率半導體等部件都已經(jīng)具備繞開美國供應(yīng)商的可行性路徑。但國內(nèi)半導體核心環(huán)節(jié)依然受制于人，本次美國對華為的限制升級新規(guī)主要集中芯片設(shè)計所需的EDA軟件和半導體設(shè)備。

▲中美和日美兩次具體措施對比（電子制造業(yè)領(lǐng)域）

日本怕反傾銷，中國怕出口禁運。我們認為中日兩國的貿(mào)易結(jié)構(gòu)決定了兩國在貿(mào)易摩擦方面的軟肋，日本的電子制造業(yè)主要是出口導向型，對外貿(mào)易依存度不斷提升，近年來更是達到了最高的80%，日本的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)注定了其容易遭受反傾銷的調(diào)查，而歷史上日美貿(mào)易摩擦時美方使用的手段也基本都是圍繞反傾銷和最低價格協(xié)定等諸如此類的限制日本出口的措施。而中國電子行業(yè)對貿(mào)易依存度較低，最新數(shù)據(jù)不到40%，尤其在集成電路行業(yè)進口額達到出口額的4倍左右，中國的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)注定了高端材料和設(shè)備以及芯片是軟肋，從華為、中興事件和晉華事件來看，中國對禁運幾乎毫無還手之力。

4、中美貿(mào)易摩擦對中國電子制造業(yè)的長期影響

中美貿(mào)易摩擦的解決不會一蹴而就，反復摩擦將是常態(tài)。日美貿(mào)易摩擦從1960年開始一直延續(xù)到1990年，其中電子制造業(yè)戰(zhàn)爭集中發(fā)生在1985年到1991年，美國用6年時間改變了日本電子制造業(yè)的生產(chǎn)和出口結(jié)構(gòu)，我們認為中美之間貿(mào)易摩擦將是主流，尤其對于電子制造業(yè)而言，近年來中美貿(mào)易順差總額為2500億美元左右，電子信息行業(yè)貢獻占比45%，因此電子行業(yè)必將成為中美貿(mào)易雙方最為矚目的行業(yè)，有可能會招來美方更多的限制措施。

▲中美貿(mào)易順差以及電子信息行業(yè)順差

終端產(chǎn)品生產(chǎn)下降，零部件占比提升。參考當時日本的案例，日本電子制造業(yè)當中零部件的出口卻一直處于上升態(tài)勢，相對于終端產(chǎn)品需要大量的組裝工序，零部件尤其是核心零部件的出口占比提升可以有效拉動日本電子制造業(yè)的毛利率水平。類似案例在電視機行業(yè)尤為顯著，日本彩電行業(yè)在1985年之后出口銳減，但是日本液晶顯示屏的出口卻日益增加，一直到2003年日本液晶面板占據(jù)了全球市場的40%以上。日本消費電子終端產(chǎn)品產(chǎn)值與行業(yè)總產(chǎn)值占比從2000年以來基本處于下降通道，2019年的比例已經(jīng)不足4%。

當前中國智能機、計算機等整機產(chǎn)品在全球市占率第一，而關(guān)鍵零部件以及高端設(shè)備基本都是依賴進口，日美貿(mào)易摩擦的案例告訴我們在當前中美貿(mào)易摩擦的背景下我們的終端產(chǎn)品在全球的成本優(yōu)勢會下降，提高核心零部件以及設(shè)備的研發(fā)與自制是保證中國電子制造業(yè)擁有下一個增長點的關(guān)鍵。

▲日本電子信息行業(yè)產(chǎn)值和消費電子終端產(chǎn)值

加大對外直接投資力度。1985年之前日本制造業(yè)對外直接投資金額維持在4000億日元上下，總體增速較為平穩(wěn)，制造業(yè)對外直接投資與制造業(yè)國內(nèi)總產(chǎn)值的比例保持在1%左右。在1985年之后的對外直接投資金額開始迅速增長，1988年開始達到17679億日元，與總產(chǎn)值的占比攀升到2%，此后日本制造業(yè)對外直接投資波動上升，在2013年達到最高點，與總產(chǎn)值的占比為7%。預(yù)計中美貿(mào)易摩擦會加速中國偏終端產(chǎn)品生產(chǎn)的海外直接投資力度。 當前中美貿(mào)易摩擦當中的加稅措施預(yù)計會提升中國電子制造業(yè)在國內(nèi)生產(chǎn)的出口成本，如果后續(xù)2000億美元加征關(guān)稅措施出臺，以及加稅力度提升，預(yù)計偏終端產(chǎn)品的海外轉(zhuǎn)移會加大。盡管終端產(chǎn)品生產(chǎn)的海外轉(zhuǎn)移是一國產(chǎn)業(yè)升級必然會出現(xiàn)的現(xiàn)象，但加稅等措施會對這一轉(zhuǎn)移過程起到加速的作用。

▲日本制造業(yè)對美國直接投資存量

加大舉國體制力度，實現(xiàn)核心設(shè)備與材料的自制。相對于加稅等措施，出口禁運是當前中國電子制造業(yè)面臨的最嚴重的問題。我們認為舉國體制是后發(fā)國家突破核心設(shè)備自制最好的方式，日本以及韓國都在舉國體制下實現(xiàn)了核心設(shè)備的突破。我國半導體行業(yè)在02專項以及大基金項目的幫助下核心設(shè)備自給率尚不足20%，預(yù)計后期政府會持續(xù)加大對半導體設(shè)備與材料企業(yè)的投入，并且晶圓廠會加大與設(shè)備廠的合作力度，改變以往雙方合作水平較低的狀態(tài)。

智東西認為，日本電子制造業(yè)部分細分行業(yè)的衰落受貿(mào)易摩擦影響有限，更多是因為日本企業(yè)錯失科技創(chuàng)新的浪潮以及不注重行業(yè)內(nèi)水平分工。當前中美兩國在電子制造業(yè)領(lǐng)域差距已經(jīng)在不斷縮小，目前在半導體領(lǐng)域，我們所需的設(shè)備與材料基本都依賴進口，而當年日本1976年開始半導體的舉國體制之前與中國當前情況類似，但是經(jīng)過多年的發(fā)展，1985年貿(mào)易摩擦前的日本半導體企業(yè)已經(jīng)基本實現(xiàn)了核心設(shè)備的自制，甚至在部分核心產(chǎn)品上領(lǐng)先于美國同行量產(chǎn)上市，所以我們也應(yīng)該樂觀的看待當前與美國的差距。最后，舉國體制是發(fā)展高精尖制造業(yè)實現(xiàn)突圍的有效方式，科創(chuàng)板開閘+大基金二期上馬，中國版新型舉國體制助力國產(chǎn)半導體，預(yù)計存儲產(chǎn)業(yè)有望率先突圍。